Bagikan:

JAKARTA - Samsung dilaporkan sedang mengembangkan solusi pendinginan baru untuk prosesor smartphone Exynos di masa depan. Teknologi pengemasan ini kabarnya berasal dari PC dan server, dan melibatkan jenis heatsink yang terpasang di atas prosesor.

Pengembangan teknologi ini diperkirakan akan selesai pada Q4 2024, sehingga memungkinkan Exynos 2500 untuk menggunakannya. Prosesor Exynos 2400 adalah prosesor flagship yang cukup baik, meskipun diketahui memiliki suhu yang sedikit lebih panas dibandingkan Snapdragon 8 Gen 3. Kini, tampaknya Samsung memiliki solusi pendinginan baru untuk chip Exynos masa depan.

Menurut laporan dari The Elec, Samsung sedang mengembangkan teknologi pengemasan chip baru yang disebut fan-out wafer-level package-HPB (FOWLP-HPB). Teknologi ini melibatkan pemasangan jenis heatsink, yang disebut heat path block (HPB), di atas chipset.

Laporan tersebut menyebutkan bahwa teknologi heatsink ini berasal dari PC dan server, dan diharapkan dapat digunakan pada prosesor Exynos di masa depan. Situs tersebut juga menambahkan bahwa teknologi ini baru tiba di smartphone sekarang karena faktor bentuk yang lebih kecil, menunjukkan bahwa miniaturisasi teknologi ini merupakan tantangan.

Diperkirakan pengembangan teknologi ini akan selesai pada Q4 2024, membuka jalan untuk produksi massal setelahnya. Waktu ini menunjukkan bahwa Exynos 2500, yang diharapkan akan digunakan dalam beberapa model Galaxy S25, bisa dilengkapi dengan teknologi pendingin ini asalkan pengembangannya selesai pada awal Q4.

Prosesor Exynos 2400 memiliki suhu yang sedikit lebih panas dibandingkan Snapdragon 8 Gen 3 dalam berbagai pengujian. Sementara itu, Exynos 2200 yang dirilis pada tahun 2022 bahkan lebih buruk, dengan masalah throttling yang signifikan.

Oleh karena itu, teknologi pengemasan ini akan menjadi tambahan yang sangat diterima untuk chip Exynos di masa depan jika bekerja sesuai dengan yang diharapkan, membuka jalan untuk kinerja yang lebih konsisten, masa pakai baterai yang lebih baik, dan ponsel yang lebih dingin.