雅加达 - 内部测试结果显示,由于Snapdragon 8 Elite Gen 5芯片组的过热问题,三星Galaxy S26 Ultra上的65W快速充电功能可能无法实现。
这些热问题可能会阻碍安全稳定快速充电的实施,迫使三星更加小心。有趣的是,在平行测试中,三星内部制造的Exynos芯片没有发现类似的障碍。
Galaxy S26 Ultra 是2026年最受期待的手机之一。最初的泄漏表示大幅增长,包括65W的快速充电支持。然而,最新的测试数据实际上表明,此功能被取消的可能性。不是因为三星的硬件有限,而是因为其主要引擎出现的问题 - 高通的Snapdragon 8 Elite Gen 5芯片组。
根据技术账户@SPYGO19726的一份报告,最新的Snapdragon芯片面临着相当严重的“热瓶颈”。有传言称,芯片的热配置文件使65W快速充电在内部压力测试期间无法安全稳定地完成。这个热问题据说是三星继续在各个市场地区争论使用Snapdragon和Exynos芯片的主要原因之一。
在内部测试中,据报道,Exynos 2600版本没有遇到类似的障碍,这表明三星本身制造的芯片 - 被认为更弱 - 最终可能与Snapdragon竞争。
众所周知,自几年前Galaxy Note 7事件以来,三星在电池和充电方面一直非常谨慎。该公司仍在实施严格的安全协议,称为“NOTE-7合规协议”。这意味着安全性仍然是重中之重,而不是追求充电速度。
如果Snapdragon 8 Elite Gen 5芯片未能在65W的功率下保持温度稳定,那么三星很可能会选择更安全的选项,充电速度较低。
三星目前正在完成Galaxy S26 Ultra,直至预计于2026年2月推出的Galaxy S26 Ultra。然而,该公司似乎面临着经典的两难境地:冒着超快充电性能的风险,或者继续以标准速度安全玩耍。对于粉丝来说,这可能意味着充电领域大幅增长的希望需要稍微降低
The English, Chinese, Japanese, Arabic, and French versions are automatically generated by the AI. So there may still be inaccuracies in translating, please always see Indonesian as our main language. (system supported by DigitalSiber.id)
