Snapdragon X Elite Inti架构透露,有令人惊讶的发现

Snapdragon X Elite使用台积电的4nm制造工艺(照片:x @techolay)

雅加达 - 今年6月推出的Snapdragon X Elite因其出色的功率效率而引起关注,而不是英特尔芯片。这种基于ARM的芯片组提供更长的电池寿命,并实现了更薄、更轻松的笔记本电脑设计,因为它不需要大型冷却系统。然而,有关此芯片组的技术细节最近被揭露,与Apple M4相比,产生了有趣的发现。

Snapdragon X Elite的核心尺寸为169.6平方毫米,几乎与Apple M4相同。即便如此,Snapdragon X Elite使用台积电的4nm制造工艺,而Apple M4则基于3nm工艺。这使得Apple M4比Snapdragon拥有每平方毫米更多的跨界器,这在理论上提供了更好的能量性能和效率。然而,这两个芯片之间的性能和能量效率的差异并不那么大。

其他关键因素,如架构和设计选择,也对性能有很大的影响。例如,CPU核心设计、备份尺寸、时钟速度和AI加速器的使用也会影响芯片组的性能。

Snapdragon X Elite配备了最多12个Oryon CPU核心,称为凤凰城,每芯片面积为2.5mm2。虽然这个尺寸略小于Apple M4性能核心,但应用的设计和优化产生了高效率。每个核心都配备了192KB L1指示备份和96KB L1数据备份,四个核心共享12MB L2备份。

然而,有趣的是,尽管Snapdragon X Elite CPU集群需要更多的空间,但Adreno X1 GPU实际上尺寸较小,只有24.3mm2,比Apple M4中的GPU小25%。

通过这次架构披露,Snapdragon X Elite展示了高通公司如何成功地制造了高功效芯片,尽管它使用了比其竞争对手略高的制造工艺。