据报道，SK海力士正在与英特尔就收购美国俄亥俄州的一家半导体综合体进行谈判。这家韩国芯片制造商的目标是在五年内开始在该地点生产早期内存芯片。
韩国JoongAng Daily于7月22日星期二报道，根据JoongAng Ilbo获得的独家信息，SK海力士正在进行内部研究并正在经历政府批准过程。购买价格和交易时间表仍在讨论中。
该综合体为SK海力士在美国建立内存生产提供了快速通道。大部分基础工作已经完成，因此该公司无需从头开始建造整个设施。
对英特尔而言，出售该地区可以增加现金，以重组其不断亏损的代工业务。代工是为其他公司制造芯片的服务。
英特尔将于2022年开始在俄亥俄州新奥尔巴尼建造一座综合体。该项目是该公司40年来首个新制造设施。
已经进行了混凝土浇筑和钢架安装。该综合体面积约为405万平方米或405公顷，足以容纳八家半导体工厂。
英特尔估计，整个地区的建设需要大约1000亿美元。在第一阶段，该公司最初计划投资280亿美元来建造Fab 27和Fab 28。
这两家新一代芯片工厂最初计划于2025年完工。英特尔还计划招募3000名工程师来生产最先进的半导体。
该项目在很大程度上依赖于联邦政府通过CHIPS and Science Act的支持。该法案提供补贴，以加强美国半导体生产。
然而，英特尔代工业务难以获得客户。生产成功率问题和先进制造技术延迟也对业务造成压力。
像英伟达、苹果和AMD这样的大型科技公司都选择将芯片生产交给台湾的台积电。
财政压力导致英特尔去年宣布大规模裁员并削减投资。俄亥俄州工厂的运营计划也推迟到2030年或2031年。
英特尔代工部门去年亏损22亿美元。今年第一季度亏损继续为24亿美元。
英特尔最近聘请了SK海力士前首席执行官李世熙（Lee Seok-hee）担任执行副总裁，负责监督代工厂部门。这一招聘是加强最终阶段生产过程的一部分，包括提高符合标准的芯片的成功率。
据韩国JoongAng Daily报道，购买俄亥俄州综合体还可以帮助SK海力士应对华盛顿的压力，即韩国芯片制造商增加在美国的投资和生产。
唐纳德·特朗普政府敦促三星电子和SK海力士增加投资。华盛顿希望加强国内半导体生产并重新组织其供应链。
三星目前正在德克萨斯州泰勒建造先进的代工设施和研发中心。其投资额约为370亿美元，该设施计划于明年开始运营。
SK海力士还在印第安纳州建造了一个高带宽内存封装（HBM）设施，投资约38.7亿美元。该设施计划于2028年投入运营。
然而，华盛顿仍在要求额外的投资。美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）于7月10日表示，他希望三星电子和SK海力士（SK hynix）在美国建立生产设施。
业内观察人士认为，这一需求不仅针对代工厂和封装，还针对早期内存生产，即封装之前的芯片制造过程。其中之一是DRAM，一种在计算机和数据中心中广泛使用的内存芯片类型。
“美国正在采取行动，通过将设计，铸造，内存和封装放在自己的领土内，建立一个完全独立的人工智能半导体供应链，”Sejong大学教授Kim Dae-jong表示，引自韩国JoongAng Daily。
SK集团董事长Chey Tae-won于7月15日表示，内存芯片价格非常高，需要增加供应以降低价格。同一天，他表示SK正在寻找在美国的土地，以快速建造半导体工厂。
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