南韩指控10人将先进内存芯片泄露给中国

韩国首尔 - 韩国检察官正式指控10人涉嫌向中国制造商ChangXin Memory Technologies（CXMT）泄露韩国内存芯片制造技术。

此案被认为非常严重，因为它涉及用于开发人工智能的关键技术。首尔中央地区检察官办公室已经拘留了五名嫌疑人，包括三星电子的前高管和工程师。

与此同时，另外五名嫌疑人已被起诉，但他们仍然被允许在保释下呼吸自由空气。嫌疑人被指控违反韩国严格的工业技术保护法。

一名前三星研究员被指控在加入CXMT后手动复制了数百个DRAM制造步骤。手写笔记包含详细的工艺配方，包括设备规格到生产结果的优化。

这些被盗数据随后用于重建CXMT在中国生产设施的整个制造流程。调查还发现，CXMT通过第三方供应商渠道从SK Hynix获得了额外的技术。

这被认为是加速中国非法生产高带宽内存的能力。据报道，三星花费了大约1.6万亿韩元（18.6万亿印尼盾）开发10纳米DRAM工艺。

检察官表示，三星是世界上唯一一家在盗窃发生时成功将该技术商业化的公司。由于泄露，CXMT设法在2023年实现了10纳米DRAM生产，这是该公司在中国取得的第一个成就。

三星电子公司遭受的损失估计达到数万亿韩元。到目前为止，三星电子，SK海力士和CXMT都拒绝发表正式评论。