65W Galaxy S26 Ultra的快速充电能力因Snapdragon热芯片问题而受到威胁

雅加达 - 内部测试结果显示,由于Snapdragon 8 Elite Gen 5芯片组的过热问题,三星Galaxy S26 Ultra上的65W快速充电功能可能无法实现。

这些热问题可能会阻碍安全稳定快速充电的实施,迫使三星更加小心。有趣的是,在平行测试中,三星内部制造的Exynos芯片没有发现类似的障碍。

Galaxy S26 Ultra 是2026年最受期待的手机之一。最初的泄漏表示大幅增长,包括65W的快速充电支持。然而,最新的测试数据实际上表明,此功能被取消的可能性。不是因为三星的硬件有限,而是因为其主要引擎出现的问题 - 高通的Snapdragon 8 Elite Gen 5芯片组。

根据技术账户@SPYGO19726的一份报告,最新的Snapdragon芯片面临着相当严重的“热瓶颈”。有传言称,芯片的热配置文件使65W快速充电在内部压力测试期间无法安全稳定地完成。这个热问题据说是三星继续在各个市场地区争论使用Snapdragon和Exynos芯片的主要原因之一。

在内部测试中,据报道,Exynos 2600版本没有遇到类似的障碍,这表明三星本身制造的芯片 - 被认为更弱 - 最终可能与Snapdragon竞争。

众所周知,自几年前Galaxy Note 7事件以来,三星在电池和充电方面一直非常谨慎。该公司仍在实施严格的安全协议,称为“NOTE-7合规协议”。这意味着安全性仍然是重中之重,而不是追求充电速度。

如果Snapdragon 8 Elite Gen 5芯片未能在65W的功率下保持温度稳定,那么三星很可能会选择更安全的选项,充电速度较低。

三星目前正在完成Galaxy S26 Ultra,直至预计于2026年2月推出的Galaxy S26 Ultra。然而,该公司似乎面临着经典的两难境地:冒着超快充电性能的风险,或者继续以标准速度安全玩耍。对于粉丝来说,这可能意味着充电领域大幅增长的希望需要稍微降低