华为申请EUV光刻系统专利，可制造7nm以下芯片

雅加达 - 华为刚刚申请了极紫外光刻（EUV）系统中使用的一种组件的专利，该组件可用于在7nm（纳米）节点上制造高端处理器。

该EUV系统用于改进集成电路和芯片组的创建。这些过程将共同形成一种干涉图案，该干涉图案将随着新的光线而不断变化。

因此，这将均衡光暴露，并将解决芯片开发中经常出现的不均匀光线问题。

随着均匀的光线，这种机制将促进组装在集成电路或微芯片组中的纳米颗粒的制造和形成。

接下来，光刻将进行微纳图形的转移、处理和创建。它还验证芯片组中配备的总元件，并检查电路中的适当尺寸和其他细节

EUV光刻系统目前由荷兰公司ASML独家创建，并于2016年提交了类似的专利（US2016007434A1），但专利权范围不同。ASML不允许将这些机器出售给中国。

两项专利的区别在于，华为使用旋转照明装置来减少同一区域内的明暗图案数量。看来，华为急于解决EUV光刻市场的真空。

由于EUV的发明有助于将芯片带到7nm和更低的工艺节点，华为的专利可以帮助中国半导体制造国际公司（SMIC）最终与台积电和三星代工竞争。

目前，中芯国际中国被认为能够生产用于加密挖矿的7nm芯片，但仅限于智能手机芯片的14nm工艺节点。

同时，ASML允许将相同的光束分开并发生在不同的点，以产生均匀的光。在平板和相对移动和固定的反射器组上。

显然，ASML EUV光刻系统的专利依赖于与旧形式的光刻相同的原理，但使用波长约为13.5nm的光，这几乎是X射线。

ASML花费了超过60亿欧元，相当于99.9万亿印尼盾，花了17年时间开发第一波可销售的EUV光刻系统。12月27日星期二推出TechBlog，但在完成之前，美国政府向荷兰政府施压，禁止向中国出口，限制该国使用较旧的深紫外（DUV）技术。

目前，只有五家公司使用或已宣布计划使用ASML EUV光刻系统，即美国的英特尔和美光，韩国的三星和SK海力士以及台湾的台积电。

像华为这样的中国公司以前可以将他们的设计发送到台积电等工厂，使用EUV光刻技术进行制造。然而，自从美国对中国实施制裁以来，这让华为更加困难。

同时，该公司需要访问使用EUV光刻技术的最先进的节点，以不断完善其专有处理器，针对从智能手机到数据中心的所有内容。要创建自己的EUV光刻系统，还有很长的路要走，但他们得到了政府的大量资金和支持来实现它。