تم الكشف عن الهندسة المعمارية الأساسية ل Snapdragon X Elite ، وهناك نتائج مفاجئة

تستخدم Snapdragon X Elite عملية تصنيع 4nm من TSMC (الصورة: x @techolay)

جاكرتا - جذبت Snapdragon X Elite ، التي تم إطلاقها في يونيو من هذا العام ، الانتباه بسبب كفاءة الطاقة الاستثنائية مقارنة برقائق Intel. توفر مجموعة الشرائح القائمة على ARM عمر بطارية أطول بكثير وتمكن من تصميم أجهزة الكمبيوتر المحمولة أنحف وأخف وزنا لأنه لا يتطلب نظام تبريد كبير. ومع ذلك ، تم الكشف مؤخرا عن التفاصيل الفنية حول مجموعة الشرائح ومقارنتها ب Apple M4 ، مما أدى إلى نتائج مثيرة للاهتمام.

يبلغ حجم جوهر Snapdragon X Elite 169.6 ملم مربعا ، أي نفس حجم جوهر Apple M4. ومع ذلك ، يستخدم Snapdragon X Elite عملية تصنيع 4nm من TSMC ، في حين أن Apple M4 يستند إلى عملية 3nm. وهذا يسمح لشركة Apple M4 بالحصول على ترانسور أكثر لكل ملليمتار مربع مقارنة ب Snapdragon ، الذي يوفر نظريا أداء وكفاءة أفضل للطاقة. ومع ذلك ، فإن الاختلافات في أداء وكفاءة الطاقة بين الشريحتين ليست كبيرة جدا.

العوامل الرئيسية الأخرى ، مثل الهندسة المعمارية واختيار التصميم ، لها أيضا تأثير كبير على الأداء. على سبيل المثال، يؤثر تصميم وحدة المعالجة المركزية الأساسية، وحجم مخزون، وسرعة الساعة، واستخدام مسرعات الذكاء الاصطناعي أيضا على أداء مجموعة الشرائح.

تم تجهيز Snapdragon X Elite ب 12 نواة من وحدة المعالجة المركزية Oryon المسماة فينيكس ، بمساحة 2.55 مم 2 لكل نواة. على الرغم من أن هذا الحجم أصغر قليلا من جوهر أداء Apple M4 ، إلا أن التصميم والتحسين المطبق يؤدي إلى كفاءة عالية. تم تجهيز كل نواة ب 192KB من مخبأ التعليمات L1 و 96KB من مخبأ بيانات L1 ، مع أربعة جوهر لتقاسم 12MB L2 من مخبأ.

ومع ذلك ، من المثير للاهتمام أنه على الرغم من أن مجموعة Snapdragon X Elite CPU تستغرق مساحة أكبر ، إلا أن GPU Adreno X1 لديها في الواقع حجم أصغر ، فقط 24.3 مم 2 ، وهو 25٪ أصغر من GPU في Apple M4.

مع هذا الكشف عن الهندسة المعمارية ، يظهر Snapdragon X Elite كيف نجحت Qualcomm في إنشاء رقائق بكفاءة عالية في الطاقة على الرغم من استخدام عملية تصنيع قديمة قليلا من منافسيها.